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图五、企业枪空间电荷分布图（a）暴露于N-硅烷蒸气的Cl2-NDI薄膜和CHCl3溶液中Cl2-NDI电化学还原为[Cl2-NDI]•-自由基阴离子的UV-Vis吸收光谱。作者简介何涛，加氢山东大学晶体材料研究所教授，博士生导师,泰山学者青年专家,齐鲁青年学者。

何涛教授博士毕业于山东大学晶体材料国家重点实验室（师从蒋民华院士和陶绪堂教授），国内然后在德国维尔兹堡大学(FrankWürthner课题组)（博士后研究员），国内美国明尼苏达大学(CDanielFrisbie课题组)（博士后研究员）从事科研工作。尽管如此，企业枪人们对有机半导体中化学掺杂的许多结构和电子方面仍然知之甚少，企业枪特别是对于单晶或多晶体系，其中强烈的各向异性分子间相互作用、晶体缺陷和微观结构决定了掺杂机制和电离效率。最重要的是，加氢作者还首次通过开尔文探针力显微镜证实了掺杂诱导的电子云气氛，从而在有机体系中印证了经典无机半导体物理学的掺杂理论。

2）通过扫描开尔文探针显微镜成像表征晶体表面微观电势缺陷，国内以及对光电器件性能的影响。【小结】综上所述，企业枪作者在两种基准有机半导体单晶表面发现了特定位置的n型掺杂机制。

通过掺杂机制，加氢可以修复晶体表面特定的台阶边缘（被证明对传输害）。

Cl2-NDI（黑色）和PDIF-CN2（红色）图三、国内掺杂对电子传输与温度关系的影响（a，b）同一Cl2-NDI晶体在其未掺杂和掺杂态下的FETID-VG特性的温度依赖性关系。利亚德全资子公司北京利亚德投资有限公司与青岛黑晶信息技术有限公司，企业枪拟合资设立北京黑晶科技有限公司，企业枪加强虚拟现实产品的研发、业务开发及应用领域。

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